弊社のカタログ品は過去１０年間の研究者の方々より御要望がありましたものを製品化させていただきましたものが大半ですのでこれらの製品を組み合わせることにより研究室での実験装置を組み立てる事は難しいことではありません。イオン銃と電子銃で１００種以上、加熱装置数１０種、その他アンプ類,または、マニュピレータ類を数多く取り揃えておりますのであなたの探し物は必ず見つかるはずです。 ○イオンビーム銃の用途 イオンビームは分析用加工用スパッター用と数多くの種類がありますが一番ポピュラーなイオンビーム加工用の使用法を紹介いたします ☆ＩＢＦ加工 ○電子ビーム銃の用途 電子銃は表面分析用、イオン化用、加熱用、ビーム加工用、など多々ありますがこれも一番ポピュラーな電子ビーム溶接の使用法を紹介いたします。 ☆電子ビーム溶接機 ○ニュートラルビーム銃の用途 このビーム銃は低速に減速された酸素などの原子を１０ｅＶ程度まで減速しシリコンなどの表面にソフトランデングさせシリコンの表面に整然と整列させます。このことはシリコンが酸素原子により酸化されたことを意味し高純度のシリコン表面の酸化皮膜を作製するのに大変有効です。他の加工方法より高真空（１０−６Ｔｏｒｒ）の清浄空間で皮膜が作製できますので新型半導体の研究には欠かせません。 ☆ＯＭＢ―０４１０ＮＢ ○分析管の用途 ＴＯＦ分析管は加速レンズ電極、と収束レンズ、イオンドリフト管、ＭＣＰ（光電子増倍管）電流検出用エレクトロメータ（チャージアンプ）または、高速パルスアンプをＩＣＦ７０ｍｍフランジに搭載した小型コンパクトＴＯＦ検出管です。イオン引き出し電極穴（φ３ｍｍ）付近に弊社のＴＯＦ用パルスビーム電子銃／ＯＭＥ−００５２ＰＥ−ＨＳをセットすれば即ＴＯＦ分析が可能です。ただしタイム計測用のオシロとＭＣＰ用高圧電源は御用意願います。 パルス電子銃によりイオン化された原子は飛行長 L(ｍ)を飛行する時間ｔｄ（Ｓ）としますと下記の計算式により計算できます。 計算式 　 　(S) n　：　イオンの価数　　　　　　　　　水素イオン　ｎ＝１で計算すると ｍ　：　イオンの質量（１ａｍｕ）　　　１．６７×１０E−２７（Ｋｇ） ｅ　：　電荷　　　　　　　　　　　　　１．６０×１０E−１９（Ｃ） ａ　：　加速ディスタンス　　　　　　　　１０ｍｍ＝１０×１０E−３（ｍ）　 Ｖａ　：　加速電圧　　　　　　　　　　１０００（ｅＶ） Ｗo　：　イオンの初速　　　　　　　　１０(ｅＶ) L　：　ドリフト空間長　　　　　　　　０．１ｍ 以上の係数を式に代入し計算すると水素イオンが０．１ｍのドリフト空間を飛行する時間ｔｄは td = 2.284×10E-7 (S) となる。この時間差をデジタルオシロスコープにより検出すればタイムオブフライト(TOF)の質量分析が可能になります。 　 　　　　　　　　　　　　　　 イオン入力型ＴＯＦ検出管　　　　　 　　　ＯＭＤ−０１００ＴＯＦ　　　 静電偏向式パルス電子銃（高機能型）ＯＭＥ−００５２ＰＥ−ＨＳ

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